PSIBAR压力传感器

Gems Sensors 将先进的传感技术与高度自动化的生产工艺相结合, 为用户提供最稳定的压力传感器。这种由硅、不锈钢、玻璃和其它金属在分子级别上相结合的压力变送器不受使用时间的影响。Gems的Psibar 压力变送器在多种工业领域的众多应用中都能提供出色的性能。本文主要介绍美国Gems Psibar系列压力传感器的传感器芯片技术-CVD技术，该技术为psibar系列传感器的特有技术，具有优越的性能价格比和更高的稳定性。

特点：出色的重复性和可靠性

加厚的膜片结构具有更好的耐压性能

CVD化学沉淀/ASIC专用集成电路

原理：PSIBAR 压力传感器的力量源自先进的CVD 技术。Psibar 的制造使用了等离子放大化学气相积淀(CVD)技术。这种尖端的技术使用化学蒸汽将一层薄薄的硅和氧化硅沉积在不锈钢基底上，形成一个非常灵敏精确的多晶硅应变片。硅薄膜自动融入应变片轴的钢表面，因此能够精确地勾勒出轴的形状。由于应变片的部件在原子级别上融合在一起，产品的连接强度和整体性就远远超过了一般压力传感器上使用的粘合剂。这种离子融合是出色的工作性和稳定性的基础。与普通硅基础的压力变送器相比，Psibar 压力变送器对于热和压力循环与生俱来地不太敏感。

所有的传感器调试，包括放大、温度标定和过滤，都由我们独特的ASIC 完成。它可以提供可调输出和可调压力范围，对零点和量程公差进行设定，确保设备 之间的可互换性。使用ASIC 省去了温度补偿的激光微调，以及不必要的外部组件。除了使整个产品的尺 寸缩小、结构简化之外，ASIC 最大的功能是使Psibar 压力传感器的价格大大下降。CVD 传感器、ASIC 电路和全不锈钢构造相结合，提 供出色的介质兼容性；所有的主要部件间的连接都是焊接。低温、激光焊接CVD应变片通过精确的自动激光焊接过程附加在传感部分上。在使用跳焊的同时，轴的两端的两侧都用点焊固定，以确保不会发生扭曲或倾斜。激光焊接速度快，温度低，可以防止应变片发生任何扭曲。这种构造提供了一种可以适应苛刻介质，并能满足特殊应用需要的高稳定性压力变送器。Psibar 压力传感器是通过自动化、零缺陷制造工艺制造的。这种工艺结合了标定、设置和测试系统，可以提高传感器精度和质量。

选择Gems Psibar 压力变送器，您将得到物超所值的产品。